11月20日-21日，享譽全球的半導體產業盛會ICCAD-Expo（第31屆）盛大召開。來自全球領先的設計、Foundry、EDA、IP、設計服務、封測企業及合作伙伴歡聚成都，分享集成電路前沿技術與創新成果。紫光國芯全面展示了三維堆疊DRAM解決方案、客制化C-DRAM、車規LPDDR4 DRAM、LPCAMM2與先進工藝全流程設計服務等創新技術成果，并在多個技術專題論壇上發表主題演講，與眾多產業鏈上下游的企業代表、專家學者展開深入交流。
行業領先的三維堆疊DRAM（SeDRAM®）解決方案，釋放芯片極限性能
人工智能大模型已進入快速應用落地階段，核心芯片的性能是基礎設施部署的關鍵因素。紫光國芯憑借行業領先的三維堆疊DRAM技術（SeDRAM®），可為算力芯片提供高達數十TB的訪存帶寬和數十GB的存儲容量，同時訪存功耗較HBM方案減少80%以上，是助力算力芯片發揮極限性能的理想解決方案。
左豐國發表題為“利用三維堆疊DRAM和架構創新帶來芯片性能的極致釋放”的演講
在IP與IC設計服務論壇上，紫光國芯定制存儲芯片產品業務總經理左豐國分享了公司在三維堆疊DRAM（SeDRAM®）技術領域的最新進展。
他指出：“紫光國芯在三維堆疊DRAM技術領域深耕多年，多種產品方案已成功支持數十款芯片的研發或量產，涵蓋多家行業頭部廠商的產品。近幾年，我們推出了專門適配大模型應用場景的SeDRAM®方案，能助力用戶芯片性能做到極致發揮。未來，針對應用場景的不斷細化，我們也會推出更豐富的產品組合以滿足不同的場景需求。”
客制化C-DRAM系列，推動端側AI差異化應用
作為智能存儲與泛連接領域的創新引領者，紫光國芯致力于為主控芯片設計公司提供業界領先的DRAM存儲器KGD解決方案。面對AI技術浪潮下“云邊端協同”與萬物智能化的趨勢，紫光國芯布局客制化C-DRAM系列產品，通過電壓輕量化、端口先進化、協議通用簡易化等多維度創新，打通定制化開發中的生態壁壘，推動端側AI實現差異化應用。
王嵩發表題為“DRAM在端側AI時代下的"芯"歷程與機遇”的演講
在同期舉辦的IC設計與創新應?論壇上，紫光國芯存儲KGD產品業務總經理王嵩從DRAM技術演進歷程出發，系統分析了端側AI在帶寬、功耗與容量等方面提出的新挑戰，并分享了紫光國芯如何通過持續的技術革新，探索符合新時代差異化需求的存儲發展路徑。
他表示“科技發展不斷推動DRAM技術與應用形態的演進。自2017年以來，紫光國芯陸續推出兼具高性能和高性價比的KGD產品，現已實現全系列、全容量覆蓋，累計出貨量已突破數億顆。我們致力于構建全棧存儲解決方案，并深耕客制化領域，賦能人工智能普及，在蓬勃的KGD生態中持續創新，不斷拓展存儲的邊界。”
高可靠車規級DRAM，助力汽車電子產業變革
此次展會中，紫光國芯展示了面向車載應用的大容量車規級存儲解決方案，涵蓋LPDDR4、LPDDR4x等多款車規芯片。相關產品在高速接口與低功耗設計方面不斷優化與創新，傳輸速率已躋身國際先進行列，最高可達4266Mbps，并已通過AEC-Q100車規認證，支持-40℃至105℃的寬溫工作范圍，能夠為各類車載場景提供高性能、高穩定性的存儲支持。目前，紫光國芯車規級存儲芯片的年出貨量已達數百萬顆規模。
此外，紫光國芯還構建了完整的DRAM顆粒產品矩陣，涵蓋從SDR/DDR1到DDR4/LPDDR4/4x以及MCP等多種類型，全面覆蓋車規級、工業級與商業級等不同規格，能夠充分滿足消費電子、工業控制、物聯網等多元化應用場景對存儲產品的多樣化需求。
新一代LPCAMM2產品系列，突破傳統內存方案局限
紫光國芯新一代LPCAMM2實現了單個模塊上的128位雙通道內存總線布局，相比DDR5 SO-DIMM 速率提升35%，同時運行功耗降低50%以上，主板占用面積減少60%以上，為筆記本電腦，邊緣計算設備，游戲掌機等緊湊型設備提供理想解決方案。
LPCAMM2打破了LPDDR內存需焊接于主板的傳統限制，支持用戶靈活自主升級內存。憑借多年的行業深耕與積累，紫光國芯現已實現全國產內存模組的全系列布局。
掌握先進工藝制程，全流程一站式設計服務
在市場競爭和工藝演進的背景下，IC設計企業正面臨工藝制程節點持續微縮的挑戰，一個能夠解決工藝制程難點和適配市場需求的完整芯片設計開發體系就變得尤為重要。
為此，紫光國芯采用靈活的商業模式，為客戶提供包括數字設計、功能驗證、綜合和可測性設計、后端物理實現、模擬設計開發、ATE測試開發和量產支持在內的全流程“一站式”設計服務解決方案，以高質量的項目交付鑄就行業口碑，助力客戶提升產品競爭力。
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