2025年11月13至14日,2025年“中國(guó)芯”集成電路產(chǎn)業(yè)促進(jìn)大會(huì)暨第二十屆“中國(guó)芯”優(yōu)秀產(chǎn)品征集結(jié)果發(fā)布儀式在橫琴天沐琴臺(tái)會(huì)議中心盛大舉辦。在發(fā)布儀式上,紫光國(guó)芯“適配大模型應(yīng)用的四層3D堆疊DRAM芯片(SeDRAM-P300)”產(chǎn)品憑借突出的技術(shù)創(chuàng)新能力,榮獲本屆“中國(guó)芯”年度重大創(chuàng)新突破產(chǎn)品獎(jiǎng)。紫光國(guó)芯業(yè)務(wù)總經(jīng)理左豐國(guó)代表公司領(lǐng)獎(jiǎng),這一榮譽(yù)充分證明了公司在三維堆疊DRAM技術(shù)領(lǐng)域持續(xù)領(lǐng)先的地位與核心競(jìng)爭(zhēng)力。
SeDRAM-P300斬獲年度重大創(chuàng)新突破產(chǎn)品獎(jiǎng)
“中國(guó)芯”集成電路產(chǎn)業(yè)促進(jìn)大會(huì)是國(guó)內(nèi)集成電路領(lǐng)域最具影響力和權(quán)威性的行業(yè)會(huì)議之一,迄今已連續(xù)舉辦19屆。此次“中國(guó)芯”活動(dòng)的所有獎(jiǎng)項(xiàng)中,“年度重大創(chuàng)新突破產(chǎn)品”獎(jiǎng)規(guī)格最高,旨在授予本年度在技術(shù)創(chuàng)新、市場(chǎng)占有率、填補(bǔ)國(guó)內(nèi)技術(shù)或市場(chǎng)空白,國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力及產(chǎn)業(yè)貢獻(xiàn)等方面均有重大突破的單款芯片產(chǎn)品。本屆“中國(guó)芯”優(yōu)秀產(chǎn)品共征集到來(lái)自303家芯片企業(yè)的410款芯片產(chǎn)品報(bào)名,產(chǎn)品基本覆蓋整個(gè)集成電路領(lǐng)域。其中,“年度重大創(chuàng)新突破產(chǎn)品”獎(jiǎng)僅有三款芯片入選,紫光國(guó)芯憑借其產(chǎn)品實(shí)力獲此殊榮。
本次獲獎(jiǎng)的紫光國(guó)芯SeDRAM-P300產(chǎn)品是業(yè)內(nèi)首款采用“四層DRAM堆疊”三維集成(WoW)技術(shù)并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的產(chǎn)品方案,該產(chǎn)品通過(guò)創(chuàng)新的技術(shù)路徑,助力芯片性能實(shí)現(xiàn)極致釋放。
“年度重大創(chuàng)新突破產(chǎn)品獎(jiǎng)”頒獎(jiǎng)儀式
SeDRAM-P300芯片采用業(yè)界領(lǐng)先的四層晶圓堆疊(WoW)三維架構(gòu),前瞻性兼容8層堆疊。產(chǎn)品以標(biāo)準(zhǔn)化IP模式交付,具備卓越的易集成性,可兼容適配主流SoC設(shè)計(jì)流程。
“紫光國(guó)芯三維堆疊DRAM(SeDRAM®)技術(shù)歷經(jīng)超過(guò)十年的技術(shù)積累與多代產(chǎn)品迭代,始終保持在行業(yè)的領(lǐng)先地位。”紫光國(guó)芯業(yè)務(wù)總經(jīng)理左豐國(guó)表示,“榮獲此獎(jiǎng),是業(yè)界對(duì)我們過(guò)往技術(shù)成果的高度認(rèn)可,更是對(duì)公司創(chuàng)新實(shí)力與產(chǎn)業(yè)影響力的充分肯定。公司將依托SeDRAM®技術(shù)優(yōu)勢(shì),持續(xù)創(chuàng)新,不斷強(qiáng)化其市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力,為用戶提供高性能存儲(chǔ)解決方案。”
三維堆疊DRAM(SeDRAM®)技術(shù)
紫光國(guó)芯SeDRAM®技術(shù)已支持近40款芯片產(chǎn)品的研發(fā)與量產(chǎn),憑借領(lǐng)先的技術(shù)實(shí)力和成熟的量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)可持續(xù)為客戶提供最優(yōu)解決方案。